术语词典

提供高亮度和小束斑电子束，是高分辨 SEM、低电压成像和精细微区分析的重要基础。 选型和验收时应结合纳米材料形貌观察等真实应用，重点核对低电压分辨率，并用代表性样品确认结果是否稳定可重复。

在较低加速电压下观察表面细节，可降低束流穿透和充电影响，适合纳米材料、聚合物和敏感样品。 选型和验收时应结合半导体截面和缺陷复检等真实应用，重点核对探针电流稳定性，并用代表性样品确认结果是否稳定可重复。

利用聚焦离子束对样品进行定点切削或制样，常用于半导体失效分析、TEM 薄片制备和三维重构。 选型和验收时应结合催化剂与电池材料分析等真实应用，重点核对EDS/EBSD/STEM 探测器配置，并用代表性样品确认结果是否稳定可重复。

EDS 提供元素信息，EBSD 提供晶体取向和相结构信息，适合材料、金属和半导体工艺分析。 选型和验收时应结合冷冻生物样品结构解析等真实应用，重点核对真空与样品台能力，并用代表性样品确认结果是否稳定可重复。

非导电样品在电子束下积累电荷导致图像漂移、亮斑或畸变，需要镀膜、低真空或低电压策略控制。 选型和验收时应结合EDS/EBSD 微区成分与晶体学分析等真实应用，重点核对束流损伤和充电控制，并用代表性样品确认结果是否稳定可重复。

提供高亮度和小束斑电子束，是高分辨 SEM、低电压成像和精细微区分析的重要基础。 选型和验收时应结合纳米材料形貌观察等真实应用，重点核对低电压分辨率，并用代表性样品确认结果是否稳定可重复。

在较低加速电压下观察表面细节，可降低束流穿透和充电影响，适合纳米材料、聚合物和敏感样品。 选型和验收时应结合半导体截面和缺陷复检等真实应用，重点核对探针电流稳定性，并用代表性样品确认结果是否稳定可重复。

利用聚焦离子束对样品进行定点切削或制样，常用于半导体失效分析、TEM 薄片制备和三维重构。 选型和验收时应结合催化剂与电池材料分析等真实应用，重点核对EDS/EBSD/STEM 探测器配置，并用代表性样品确认结果是否稳定可重复。

EDS 提供元素信息，EBSD 提供晶体取向和相结构信息，适合材料、金属和半导体工艺分析。 选型和验收时应结合冷冻生物样品结构解析等真实应用，重点核对真空与样品台能力，并用代表性样品确认结果是否稳定可重复。

非导电样品在电子束下积累电荷导致图像漂移、亮斑或畸变，需要镀膜、低真空或低电压策略控制。 选型和验收时应结合EDS/EBSD 微区成分与晶体学分析等真实应用，重点核对束流损伤和充电控制，并用代表性样品确认结果是否稳定可重复。

通过抑制离焦光获得样品内部薄层图像，是共聚焦、多光子和光片成像判断三维结构的基础概念。 选型和验收时应结合活细胞动态成像等真实应用，重点核对横向/轴向分辨率，并用代表性样品确认结果是否稳定可重复。

用近红外飞秒激光在焦点处产生非线性激发，适合厚组织、活体样品和低散射深部成像。 选型和验收时应结合组织透明化三维重构等真实应用，重点核对激发波长与检测通道，并用代表性样品确认结果是否稳定可重复。