术语词典

将不同焦面的清晰信息合成为一张全焦图，适合观察高度起伏明显的工业样品。 选型和验收时应结合失效分析和来料检测等真实应用，重点核对景深合成效果，并用代表性样品确认结果是否稳定可重复。

利用干涉信号测量表面高度，适合高精度非接触轮廓、粗糙度和台阶高度测量。 选型和验收时应结合焊点、裂纹和污染物观察等真实应用，重点核对Z 向测量重复性，并用代表性样品确认结果是否稳定可重复。

光线沿物镜轴向照射样品，适合反光表面、金属和晶圆样品的细节观察。 选型和验收时应结合粗糙度和台阶高度测量等真实应用，重点核对照明方式与反光控制，并用代表性样品确认结果是否稳定可重复。

同一样品多次测量结果的一致性，是工业检测和质量控制中比单次分辨率更重要的指标。 选型和验收时应结合精密加工件尺寸复核等真实应用，重点核对大样品台和电动平台，并用代表性样品确认结果是否稳定可重复。

用于容纳较厚或不规则样品，决定仪器能否直接观察整机部件、治具或大尺寸工件。 选型和验收时应结合半导体封装和材料表面检查等真实应用，重点核对报告模板和计量溯源，并用代表性样品确认结果是否稳定可重复。

提供高亮度和小束斑电子束，是高分辨 SEM、低电压成像和精细微区分析的重要基础。 选型和验收时应结合纳米材料形貌观察等真实应用，重点核对低电压分辨率，并用代表性样品确认结果是否稳定可重复。

在较低加速电压下观察表面细节，可降低束流穿透和充电影响，适合纳米材料、聚合物和敏感样品。 选型和验收时应结合半导体截面和缺陷复检等真实应用，重点核对探针电流稳定性，并用代表性样品确认结果是否稳定可重复。

利用聚焦离子束对样品进行定点切削或制样，常用于半导体失效分析、TEM 薄片制备和三维重构。 选型和验收时应结合催化剂与电池材料分析等真实应用，重点核对EDS/EBSD/STEM 探测器配置，并用代表性样品确认结果是否稳定可重复。

EDS 提供元素信息，EBSD 提供晶体取向和相结构信息，适合材料、金属和半导体工艺分析。 选型和验收时应结合冷冻生物样品结构解析等真实应用，重点核对真空与样品台能力，并用代表性样品确认结果是否稳定可重复。

非导电样品在电子束下积累电荷导致图像漂移、亮斑或畸变，需要镀膜、低真空或低电压策略控制。 选型和验收时应结合EDS/EBSD 微区成分与晶体学分析等真实应用，重点核对束流损伤和充电控制，并用代表性样品确认结果是否稳定可重复。

提供高亮度和小束斑电子束，是高分辨 SEM、低电压成像和精细微区分析的重要基础。 选型和验收时应结合纳米材料形貌观察等真实应用，重点核对低电压分辨率，并用代表性样品确认结果是否稳定可重复。

在较低加速电压下观察表面细节，可降低束流穿透和充电影响，适合纳米材料、聚合物和敏感样品。 选型和验收时应结合半导体截面和缺陷复检等真实应用，重点核对探针电流稳定性，并用代表性样品确认结果是否稳定可重复。