产品简介
JEOL JIB-PS500i FIB-SEM 属于电镜/Cryo-EM/FIB-SEM高端产品池，适合结构生物学平台、材料学院、半导体失效分析、先进制造研发中心。典型应用包括蛋白结构解析、纳米材料形貌分析、截面制样、半导体失效分析。该型号用于显微与成像平台转型上架，建议销售前复核授权、供货周期、配置清单和正式技术参数。
产品概述
JEOL JIB-PS500i FIB-SEM 双束系统是一款面向科研与工业表征的FIB-SEM 双束系统。系统围绕高质量成像、稳定分析和可重复工作流程设计，可根据样品类型与研究目标组合相应探测器和分析附件。
核心特点
- SEM 电子源：In-lens Schottky Plus 场发射源。
- SEM 分辨率：0.7 nm @ 15 kV；1.4 nm @ 1 kV；BD 模式 1.0 nm @ 1 kV。
- SEM 着陆电压：0.01–30 kV。
- SEM 束流：约 1 pA–500 nA 以上。
- FIB 离子源：Ga 液态金属离子源。
典型应用
适用于半导体截面与失效分析、TEM 薄片制备、微纳加工及材料三维结构重构。
选型提示
建议根据目标分辨率、样品尺寸与导电性、低电压或低真空需求、每日样品量，以及 EDS、EBSD、STEM 或自动化功能确定具体配置。涉及不同镜筒、物镜或历史型号时，应按具体版本核对。
| 参数项 | 数值 |
|---|---|
| 品牌 | JEOL |
| 型号 | JIB-PS500i |
| 系统类型 | FIB-SEM 双束系统 |
| SEM 电子源 | In-lens Schottky Plus 场发射源 |
| SEM 分辨率 | 0.7 nm @ 15 kV；1.4 nm @ 1 kV；BD 模式 1.0 nm @ 1 kV |
| SEM 着陆电压 | 0.01–30 kV |
| SEM 束流 | 约 1 pA–500 nA 以上 |
| FIB 离子源 | Ga 液态金属离子源 |
| FIB 分辨率 | 3 nm @ 30 kV |
| FIB 电压与束流 | 0.5–30 kV；1 pA–100 nA |
| 样品台 | 五轴共心；X/Y 130 mm，倾转 -40°–93°，旋转 360° |
| 制样功能 | Check-and-Go STEM 检查与 STEMPLING2 自动制样依配置 |
品牌JEOL平台电镜/Cryo-EM/FIB-SEM型号JIB-PS500i