选型判断
先确认这台仪器是否真正匹配你的实验目标
- 明确样品类型、尺寸、材料和目标工艺
- 确认目标缺陷、结构尺寸或表面参数
- 核对检测、复检或三维测量原理
- 确认光学、电子束、传感器及物镜配置
- 评估自动化、样品台和目标吞吐量
- 确认软件、数据格式、报告及主机通讯
- 核对校准、验收、溯源和合规要求
- 使用代表性样品验证性能和流程适用性
产品简介
面向碳化硅功率器件制造的自动晶圆检测系统,结合表面缺陷检测和光致发光技术,对 SiC 衬底及外延层的多类缺陷进行发现、分类和质量控制。
面向碳化硅功率器件制造的自动晶圆检测系统,结合表面缺陷检测和光致发光技术,对 SiC 衬底及外延层的多类缺陷进行发现、分类和质量控制。
适用于 SiC 衬底来料、外延生长和功率器件制造过程中的颗粒、划伤、晶体与外延相关缺陷检测。
确认 SiC 晶圆尺寸、衬底/外延类型、目标表面和晶体缺陷、光致发光通道、灵敏度与自动化节拍。
页面依据供应商公开资料整理。实际性能受具体配置、样品、环境、软件和应用方法影响,正式采购以供应商最新规格书、具体料号和技术协议为准。
| 参数项 | 数值 |
|---|---|
| 品牌 | KLA |
| 型号 | Candela 8520 |
| 系统类型 | SiC 晶圆自动检测系统 |
| 核心技术 | 表面检测 + 光致发光 |
| 样品 | SiC 衬底与外延层 |
| 主要功能 | 缺陷发现与分类 |
| 应用 | 功率器件过程控制 |
| 输出 | 晶圆缺陷图与统计 |
选型判断
配置清单
代理服务
可协助需求梳理、样品测试、方法评估、配置核对、安装培训及售后对接;授权、价格、交期和供货范围以正式商务确认为准。
应用场景
SiC 衬底来料检测
SiC 外延层质量控制
功率半导体制造
缺陷分类与良率分析
资料依据
页面内容以品牌方公开资料、产品参数和售前配置复核为基础。正式价格、授权关系、供货周期和最终配置以商务确认为准。
资料核验:2026-09-02