选型判断
先确认这台仪器是否真正匹配你的实验目标
- 明确样品材料、尺寸、结构和表面状态
- 确认目标膜层、结构或纳米属性及预期量程
- 核对光谱范围、入射角、光斑或扫描范围
- 确认测量速度、点位数量与自动化节拍
- 评估样品台尺寸、承重、定位和环境要求
- 确认分析模型、数据库、报告和数据接口
- 核对校准标准、验收方法和计量溯源
- 使用代表性样品验证重复性、相关性和方法适用性

产品简介
面向图形化、化合物半导体及 OLED 等样品的微光斑光谱椭偏系统,可配置全自动测量和 300 mm 样品映射,用于局部膜厚及光学性质表征。
Semilab µSE-3000 是面向图形化晶圆和量产过程监控的全自动微光斑光谱椭偏系统,采用旋转补偿器光学结构并集成精密 XY 映射、快速自动聚焦、图形识别和晶圆自动搬送。它可对 300 mm 产品晶圆进行多点薄膜厚度和光学常数测量。
Semilab µSE-3000 微光斑全自动光谱椭偏仪 对应型号为 µSE-3000,本页参数按制造商当前公开产品页或规格资料逐项核对,便于方案比较和采购选型。
半导体前道工艺、化合物半导体、SiC、GaAs、Micro LED/OLED、晶圆内均匀性、批次监控和先进过程控制。
建立测量方案时,应结合样品材料、结构尺度、所需数据类型、测量节拍、自动化接口和环境控制条件确定配置。
建议重点确认光谱或扫描范围、样品尺寸、空间分辨率、重复性、测量速度、分析软件、自动平台和所需附件。扩展波段、探测器、样品台与应用模块可能属于选件,应按具体料号核对。
| 参数项 | 数值 |
|---|---|
| 品牌 | Semilab |
| 型号 | µSE-3000 |
| 产品类型 | 微光斑全自动光谱椭偏仪 |
| 波长范围 | 193–900 nm(UV-VIS) |
| 最大映射直径 | 300 mm |
| 映射点数 | 用户定义,最多 3000 点 |
| 晶圆尺寸 | 300 mm;可兼容 200 mm |
| 装载端口 | 双 FOUP |
| 自动化接口 | OHT、SECS/GEM |
| 适用基底 | 玻璃、Si、GaAs、SiC 等 |
| 测量输出 | 膜厚与光学常数 n/k |
| 可选计量 | 光谱反射、Bow-Warp、应力 |
| 可选光谱 | Raman、光致发光 |
| 测量方式 | 非接触、非破坏 |
选型判断
配置清单
代理服务
可协助需求梳理、样品测试、方法评估、配置核对、安装培训及售后对接;授权、价格、交期和供货范围以正式商务确认为准。
应用场景
图形化晶圆薄膜
化合物半导体
OLED 与显示器件
局部微区材料分析
资料依据
页面内容以品牌方公开资料、产品参数和售前配置复核为基础。正式价格、授权关系、供货周期和最终配置以商务确认为准。
资料核验:2026-09-01