
产品简介
面向研究与工业分析的场发射扫描电子显微镜,支持灵活的成像和分析配置。
产品概述
面向研究与工业分析的场发射扫描电子显微镜,支持灵活的成像和分析配置。
TESCAN MIRA XMU 场发射扫描电子显微镜面向需要稳定成像、规范操作和可追溯数据管理的科研与工业实验室。选型应结合样品性质、目标分辨率、分析任务、处理通量和安装环境综合评估。
核心技术与特点
- 参数:TESCAN
- 参数:MIRA XMU FE-SEM
- 参数:电镜/Cryo-EM/FIB-SEM
- 参数:扫描电镜
- 参数:精选
- 参数:150万-5000万+
- 参数:结构生物学平台、材料学院、半导体失效分析、先进制造研发中心
- 参数:蛋白结构解析、纳米材料形貌分析、截面制样、半导体失效分析
- 系统定位:围绕微观成像、重复性与分析效率建立完整工作流。
- 扩展能力:可按任务配置探测器、分析附件、样品台和数据软件。
典型应用
材料形貌、断口、颗粒、电子器件和成分分析。
- 微观形貌、结构与缺陷的观察和记录
- 工艺比较、材料筛选、质量控制与异常定位
- 多用户平台的标准化测试与研究级分析
选型关注点
- 明确样品尺寸、导电性、真空兼容性及前处理要求
- 确认分辨率、加速电压、视野、探测器与分析附件
- 评估制样、成像、元素分析及数据处理的完整流程
- 核对安装条件、操作培训、维护周期与数据存储方案
实验与数据工作流
建议将样品登记、前处理、系统校准、参数设定、图像采集、质量检查和数据归档纳入统一流程。关键项目应保留原始图像、采集参数和处理记录,便于复测与结果比较。
| 参数项 | 数值 |
|---|---|
| 品牌 | TESCAN |
| 型号 | MIRA XMU |
| 系统类型 | 肖特基场发射扫描电子显微镜 |
| 电子源 | 肖特基场发射电子源 |
| 空间分辨率 | 1.2 nm @ 30 kV;1.0 nm @ 30 keV(In-Beam SE) |
| 低电压分辨率 | 3.5 nm @ 1 keV;配置 BDT 时 1.8 nm @ 1 keV |
| 放大倍率 | 2×–1,000,000× |
| 着陆能量 | 200 eV–30 keV;配置 BDT 时低于 50 eV |
| 探针电流 | 2 pA–400 nA,连续可调 |
| 样品台 | 五轴电动共心样品台;X/Y 130 mm,Z 100 mm |
| 样品尺寸 | 全行程条件下直径 180 mm |
| 真空模式 | SingleVac;MultiVac 最高 700 Pa 为选配 |
| 分析附件 | EDS、EBSD、WDS、STEM、CL 与 Raman 等依配置选配 |
品牌TESCAN型号MIRA XMU
资料依据
页面内容以品牌方公开资料、产品参数和售前配置复核为基础。正式价格、授权关系、供货周期和最终配置以商务确认为准。
