
产品简介
Sub-nanometer imaging and automated TEM sample preparation with Helios 5 DualBeam for high-quality 2D/3D characterization in materials and semiconductor research.
产品概述
面向超薄 TEM/APT 制样和极低电压高分辨观察的 Helios 高端 DualBeam,采用 Elstar 极高分辨电子柱与 Phoenix 低电压高性能镓离子柱。
核心特点
- 电子柱:Elstar 极高分辨场发射 SEM 柱。
- SEM落地能量:20 eV–30 keV。
- SEM分辨率:0.6 nm @ 2 keV;0.7 nm @ 1 keV;1.0 nm @ 500 eV。
- 离子柱:Phoenix Ga+ FIB。
- 离子束电压:500 V–30 kV。
- 离子束流:1 pA–65 nA。
典型应用
适用于先进逻辑与存储器件、量子材料、纳米结构和敏感界面的超薄薄片制备、亚纳米成像、三维表征及精准微纳加工。
选型提示
选型时应结合目标分辨率、加速电压、样品尺寸与导电性、真空或低温条件、电子/离子束流范围、探测器组合、元素分析能力和自动化通量。涉及可选探测器、EDS、EBSD、EELS、冷冻附件或原位样品台时,应按具体配置逐项确认。
| 参数项 | 数值 |
|---|---|
| 品牌 | Thermo Scientific |
| 型号 | Helios 5 UX DualBeam |
| 系统类型 | 超高分辨镓离子束 FIB-SEM |
| 电子柱 | Elstar 极高分辨场发射 SEM 柱 |
| SEM落地能量 | 20 eV–30 keV |
| SEM分辨率 | 0.6 nm @ 2 keV;0.7 nm @ 1 keV;1.0 nm @ 500 eV |
| 离子柱 | Phoenix Ga+ FIB |
| 离子束电压 | 500 V–30 kV |
| 离子束流 | 1 pA–65 nA |
| 最佳终抛电压 | 500 V |
| 目标薄片厚度 | 约 15 nm,视材料和流程而定 |
| 样品台行程 | 150 × 150 × 10 mm |
选型与服务
Helios 5 UX DualBeam 选型与配置
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咨询配置与报价品牌Thermo Fisher Scientific平台电镜/Cryo-EM/FIB-SEM型号Helios 5 UX DualBeam
