
产品简介
蔡司Crossbeam 350是专为多用户共享平台打造的灵活型FIB-SEM聚焦离子束双束电镜,可为科研和工业工作流提供可靠的高分辨率成像分析、TEM样品制备以及灵活的配置方案。独特的无漏磁电子镜筒实现真正边切边看,低电压下获得高分辨率电子图像,可实现大尺寸到纳米精度的切割。通过加装飞秒激光模块,Crossbeam的加工效率和尺度可进一步拓展,同时可以满足多种微纳加工需求。适配高校分析测试平台、科研院所、半导体工厂、电池企业等各类客户,可完成半导体失效分析、锂电池隔膜表征、复合材料三维断层扫描、生物样品低电压SEM显微成像以及高质量TEM薄片制样。
产品概述
ZEISS Crossbeam 350 是将场发射扫描电子显微镜与聚焦离子束集成于同一平台的 Ga FIB-SEM 系统,兼顾高质量成像、精确截面加工和三维材料表征。其可变压力能力和灵活接口适合较广泛的样品类型与原位实验。
核心特点
- 肖特基场发射 SEM 在 15 kV 下分辨率可达 0.7 nm,并支持低着陆能量 Tandem decel 成像。
- Ga 液态金属离子束用于定点截面制备、微纳加工、TEM 薄片制备和序列切片。
- 支持自动切片与成像工作流,可生成材料内部结构的三维体数据。
- 图像分辨率最高可达 32k × 24k;配置 Atlas 5 时可扩展至 50k × 40k。
- 可集成 EDS、EBSD、WDS、SIMS 及多路气体注入系统。
典型应用
适用于材料截面、半导体失效分析、晶界与相结构、孔隙和颗粒三维分析、微纳加工以及 TEM 样品制备。
选型提示
选型时应确认所需 SEM 分辨率、离子束加工速度、三维体积范围、可变压力需求、GIS 材料及 EDS/EBSD/SIMS 等分析附件。
| 参数项 | 数值 |
|---|---|
| 品牌 | ZEISS |
| 型号 | Crossbeam 350 |
| 系统类型 | Ga FIB-SEM 双束系统 |
| SEM 电子源 | 肖特基场发射源 |
| SEM 分辨率 | 0.7 nm @ 15 kV;1.2 nm @ 1 kV;Tandem decel 时 1.5 nm @ 1 kV |
| 超低电压分辨率 | 1.9 nm @ 200 V(Tandem decel) |
| STEM 分辨率 | 0.7 nm @ 30 kV |
| 离子源 | Ga 液态金属离子源 |
| 三维切片 | 支持自动序列切片与三维重构 |
| 图像存储 | 512×384 至 32k×24k;Atlas 5 选配最高 50k×40k |
| 分析接口 | EDS、EBSD、WDS、SIMS 等依配置 |
| 气体注入 | 支持 Pt、C、SiOx、W、H2O 等 GIS 材料,依配置 |
品牌ZEISS平台电镜/Cryo-EM/FIB-SEM型号ZEISS Crossbeam 350
