
产品简介
蔡司Crossbeam 550是兼顾高分辨率成像与精准FIB加工的全能型扫描电镜,支持快速切割和低电压精细处理,显著减少样品损伤并制备高质量TEM薄片,自动化工作流可大幅提升检测效率。通过加装飞秒激光模块,Crossbeam的加工效率和尺度可进一步拓展,同时可以满足多种微纳加工需求。产品可服务于半导体、金属钢铁、新材料及高校测试机构等客户,可高效完成半导体先进封装分析、锂电池材料表征、工程材料失效检测、微纳加工及生物组织三维重建,是科研院所与工业实验室通用的高性价比样品制备与分析工具。生命科学领域可温和处理细胞、组织样本,依托低损伤离子束切割技术完成靶向制样与三维超微结构重构;亦可在冷冻下温和的处理细胞、组织样本,配合光电关联,完成靶向制样,定位于亚细胞器。
产品概述
ZEISS Crossbeam 550 是面向高分辨分析、精细样品制备和自动三维表征的 Ga FIB-SEM 双束系统。相比 Crossbeam 350,其 SEM 成像性能与分析通量进一步提升,适合对低电压表面细节和纳米尺度加工精度要求更高的任务。
核心特点
- 肖特基场发射 SEM 在 15 kV 下分辨率可达 0.6 nm,1 kV 下可达 1.1 nm。
- Tandem decel 模式在 200 V 下仍可实现约 1.6 nm 分辨率,突出表层细节并降低束流损伤。
- Ga 聚焦离子束支持精细截面、TEM 薄片、微纳加工和自动序列切片。
- 支持高像素存储及 Atlas 5 大面积/三维采集扩展。
- 可配置 EDS、EBSD、WDS、SIMS 与多路 GIS,覆盖成分、晶体学和化学信息分析。
典型应用
适用于先进半导体、纳米器件、金属与合金、陶瓷、电池材料、地质样品的失效分析、三维重构及高质量 TEM 制样。
选型提示
应依据目标结构尺寸、低电压成像要求、切片体积、加工材料、自动化通量和分析附件组合确定系统方案。
| 参数项 | 数值 |
|---|---|
| 品牌 | ZEISS |
| 型号 | Crossbeam 550 |
| 系统类型 | 高分辨率 Ga FIB-SEM 双束系统 |
| SEM 电子源 | 肖特基场发射源 |
| SEM 分辨率 | 0.6 nm @ 15 kV;1.1 nm @ 1 kV;Tandem decel 时 1.2 nm @ 1 kV |
| 超低电压分辨率 | 1.6 nm @ 200 V(Tandem decel) |
| STEM 分辨率 | 0.6 nm @ 30 kV |
| 离子源 | Ga 液态金属离子源 |
| 三维切片 | 支持自动序列切片、纳米加工与三维重构 |
| 图像存储 | 512×384 至 32k×24k;Atlas 5 选配最高 50k×40k |
| 分析接口 | EDS、EBSD、WDS、SIMS 等依配置 |
| 气体注入 | 支持 Pt、C、SiOx、W、Au、H2O、XeF2 等,依 GIS 配置 |
品牌ZEISS平台电镜/Cryo-EM/FIB-SEM型号ZEISS Crossbeam 550
